Päikese fotogalvaaniliste elementide põhjalik klassifikatsioon

Päikese fotogalvaanilised elemendidvõib klassifitseerida erinevate standardite järgi:

Materjali klassifikatsioon:

Ränist päikesepatareid: valmistatud peamiselt p- ja n-tüüpi ränist, need on kõige laialdasemalt kasutatavad päikesepatareid.

Vask-indiumseleniidi (CIS) päikesepatareid: kasutage vask-indiumseleniidi, mis on tuntud suurema tõhususe ja pikema eluea poolest.

Vask-indium-galliumseleniidi (CIGS) päikesepatareid: valmistatud vask-indium-galliumseleniidist, pakkudes suuremat efektiivsust kui SRÜ-s, kuid kõrgemate tootmiskuludega.

Tootmisprotsessi klassifikatsioon:

Monokristallilised räni päikesepatareid: suurem efektiivsus, kuid kõrgemad tootmiskulud.

Polükristallilised räni päikesepatareid: madalam efektiivsus, kuid madalamad tootmiskulud.

Värvitundlikud päikesepatareid: kasutage värvainega sensibiliseeritud pooljuhtmaterjale, mis pakuvad madalaid tootmiskulusid, kuid madalamat efektiivsust.

Rakkude struktuuri klassifikatsioon:

Positiivse/negatiivse laengu eraldamise õhukese kilega päikesepatareid: kasutage positiivse/negatiivse laengu eralduskile tehnoloogiat, mis on tuntud suurema tõhususe ja pikema eluea poolest.

Orgaanilised päikesepatareid: valmistatud orgaanilistest pooljuhtmaterjalidest, madalate tootmiskulude ja lihtsate tootmisprotsessidega, kuid madalama efektiivsusega.

Suurus ja monokristalliline/polükristalliline klassifikatsioon (levinud Hiinas):

Monokristalliline 125125, monokristalliline 156156, polükristalliline 156156, monokristalliline 150150, monokristalliline 103103, polükristalliline 125125 jne.

Räni kristallisatsiooni oleku klassifikatsioon:

Monokristallilised räni päikesepatareid: kõrgeim fotoelektrilise muundamise efektiivsus, kuni umbes 15% kuni 24%, kuid kõrgemad tootmiskulud.

Polükristallilised räni päikesepatareid: fotoelektrilise muundamise efektiivsus umbes 12%, suhteliselt madalamate tootmiskuludega.

Amorfsed ränist päikesepatareid: 1976. aastal kasutusele võetud õhukese kilega päikesepatareidel on madalam fotoelektrilise muundamise efektiivsus ja stabiilsus, kuid need võivad nõrga valguse korral elektrit toota.